Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPP12CN10N G

IPP12CN10N G

MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
Mã sản phẩm
IPP12CN10N G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO-220-3
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
12.9 mOhm @ 67A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 83µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
65nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4320pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 7239 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IPP12CN10N G
IPP12CN10N G Linh kiện điện tử
IPP12CN10N G Việc bán hàng
IPP12CN10N G Nhà cung cấp
IPP12CN10N G Nhà phân phối
IPP12CN10N G Bảng dữ liệu
IPP12CN10N G Ảnh
IPP12CN10N G Giá
IPP12CN10N G Lời đề nghị
IPP12CN10N G Giá thấp nhất
IPP12CN10N G Tìm kiếm
IPP12CN10N G Thu mua
IPP12CN10N G Chip