Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPP16CNE8N G

IPP16CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 53A TO-220
Mã sản phẩm
IPP16CNE8N G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO-220-3
Tản điện (Tối đa)
100W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
85V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
16.5 mOhm @ 53A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 61µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
48nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3230pF @ 40V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 5211 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IPP16CNE8N G
IPP16CNE8N G Linh kiện điện tử
IPP16CNE8N G Việc bán hàng
IPP16CNE8N G Nhà cung cấp
IPP16CNE8N G Nhà phân phối
IPP16CNE8N G Bảng dữ liệu
IPP16CNE8N G Ảnh
IPP16CNE8N G Giá
IPP16CNE8N G Lời đề nghị
IPP16CNE8N G Giá thấp nhất
IPP16CNE8N G Tìm kiếm
IPP16CNE8N G Thu mua
IPP16CNE8N G Chip