Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPS10N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
Mã sản phẩm
IPS10N03LA G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO251-3
Tản điện (Tối đa)
52W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
25V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
10.4 mOhm @ 30A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 20µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
11nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1358pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 29669 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPS10N03LA G
IPS10N03LA G Linh kiện điện tử
IPS10N03LA G Việc bán hàng
IPS10N03LA G Nhà cung cấp
IPS10N03LA G Nhà phân phối
IPS10N03LA G Bảng dữ liệu
IPS10N03LA G Ảnh
IPS10N03LA G Giá
IPS10N03LA G Lời đề nghị
IPS10N03LA G Giá thấp nhất
IPS10N03LA G Tìm kiếm
IPS10N03LA G Thu mua
IPS10N03LA G Chip