Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPS110N12N3GBKMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
Mã sản phẩm
IPS110N12N3GBKMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO251-3
Tản điện (Tối đa)
136W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
120V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11 mOhm @ 75A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 83µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
65nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4310pF @ 60V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 41636 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPS110N12N3GBKMA1
IPS110N12N3GBKMA1 Linh kiện điện tử
IPS110N12N3GBKMA1 Việc bán hàng
IPS110N12N3GBKMA1 Nhà cung cấp
IPS110N12N3GBKMA1 Nhà phân phối
IPS110N12N3GBKMA1 Bảng dữ liệu
IPS110N12N3GBKMA1 Ảnh
IPS110N12N3GBKMA1 Giá
IPS110N12N3GBKMA1 Lời đề nghị
IPS110N12N3GBKMA1 Giá thấp nhất
IPS110N12N3GBKMA1 Tìm kiếm
IPS110N12N3GBKMA1 Thu mua
IPS110N12N3GBKMA1 Chip