Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF3717TRPBF
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Mã sản phẩm
IRF3717TRPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.4 mOhm @ 20A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.45V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
33nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2890pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 26314 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRF3717TRPBF
IRF3717TRPBF Linh kiện điện tử
IRF3717TRPBF Việc bán hàng
IRF3717TRPBF Nhà cung cấp
IRF3717TRPBF Nhà phân phối
IRF3717TRPBF Bảng dữ liệu
IRF3717TRPBF Ảnh
IRF3717TRPBF Giá
IRF3717TRPBF Lời đề nghị
IRF3717TRPBF Giá thấp nhất
IRF3717TRPBF Tìm kiếm
IRF3717TRPBF Thu mua
IRF3717TRPBF Chip