Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF6709S2TRPBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
Mã sản phẩm
IRF6709S2TRPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
DirectFET™ Isometric S1
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DIRECTFET S1
Tản điện (Tối đa)
1.8W (Ta), 21W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
25V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Ta), 39A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.35V @ 25µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
12nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 13V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 45648 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRF6709S2TRPBF
IRF6709S2TRPBF Linh kiện điện tử
IRF6709S2TRPBF Việc bán hàng
IRF6709S2TRPBF Nhà cung cấp
IRF6709S2TRPBF Nhà phân phối
IRF6709S2TRPBF Bảng dữ liệu
IRF6709S2TRPBF Ảnh
IRF6709S2TRPBF Giá
IRF6709S2TRPBF Lời đề nghị
IRF6709S2TRPBF Giá thấp nhất
IRF6709S2TRPBF Tìm kiếm
IRF6709S2TRPBF Thu mua
IRF6709S2TRPBF Chip