Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF6710S2TR1PBF

IRF6710S2TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Mã sản phẩm
IRF6710S2TR1PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
DirectFET™ Isometric S1
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DIRECTFET S1
Tản điện (Tối đa)
1.8W (Ta), 15W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
25V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Ta), 37A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.4V @ 25µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
13nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1190pF @ 13V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23043 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRF6710S2TR1PBF
IRF6710S2TR1PBF Linh kiện điện tử
IRF6710S2TR1PBF Việc bán hàng
IRF6710S2TR1PBF Nhà cung cấp
IRF6710S2TR1PBF Nhà phân phối
IRF6710S2TR1PBF Bảng dữ liệu
IRF6710S2TR1PBF Ảnh
IRF6710S2TR1PBF Giá
IRF6710S2TR1PBF Lời đề nghị
IRF6710S2TR1PBF Giá thấp nhất
IRF6710S2TR1PBF Tìm kiếm
IRF6710S2TR1PBF Thu mua
IRF6710S2TR1PBF Chip