Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF6729MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Mã sản phẩm
IRF6729MTR1PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
DirectFET™ Isometric MX
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DIRECTFET™ MX
Tản điện (Tối đa)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
31A (Ta), 190A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.35V @ 150µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
63nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
6030pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 9741 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRF6729MTR1PBF
IRF6729MTR1PBF Linh kiện điện tử
IRF6729MTR1PBF Việc bán hàng
IRF6729MTR1PBF Nhà cung cấp
IRF6729MTR1PBF Nhà phân phối
IRF6729MTR1PBF Bảng dữ liệu
IRF6729MTR1PBF Ảnh
IRF6729MTR1PBF Giá
IRF6729MTR1PBF Lời đề nghị
IRF6729MTR1PBF Giá thấp nhất
IRF6729MTR1PBF Tìm kiếm
IRF6729MTR1PBF Thu mua
IRF6729MTR1PBF Chip