Mua Infineon Technologies IRF6798MTRPBF MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IRF6798MTRPBF

MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX

Mã sản phẩm

IRF6798MTRPBF

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

HEXFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

DirectFET™ Isometric MX

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DIRECTFET™ MX

Tản điện (Tối đa)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Schottky Diode (Body)

Xả điện áp nguồn (Vdss)

25V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

37A (Ta), 197A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

1.3 mOhm @ 37A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.35V @ 150µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

75nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

6560pF @ 13V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 31526 PCS

Thông tin liên lạc