Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF6892STR1PBF

IRF6892STR1PBF

MOSFET N-CH 25V 28A S3
Mã sản phẩm
IRF6892STR1PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
DirectFET™ Isometric S3C
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DIRECTFET™ S3C
Tản điện (Tối đa)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
25V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.1V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
25nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2510pF @ 13V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±16V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 16181 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRF6892STR1PBF
IRF6892STR1PBF Linh kiện điện tử
IRF6892STR1PBF Việc bán hàng
IRF6892STR1PBF Nhà cung cấp
IRF6892STR1PBF Nhà phân phối
IRF6892STR1PBF Bảng dữ liệu
IRF6892STR1PBF Ảnh
IRF6892STR1PBF Giá
IRF6892STR1PBF Lời đề nghị
IRF6892STR1PBF Giá thấp nhất
IRF6892STR1PBF Tìm kiếm
IRF6892STR1PBF Thu mua
IRF6892STR1PBF Chip