Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF7477PBF

IRF7477PBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Mã sản phẩm
IRF7477PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
8.5 mOhm @ 14A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
38nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2710pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 7581 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRF7477PBF
IRF7477PBF Linh kiện điện tử
IRF7477PBF Việc bán hàng
IRF7477PBF Nhà cung cấp
IRF7477PBF Nhà phân phối
IRF7477PBF Bảng dữ liệu
IRF7477PBF Ảnh
IRF7477PBF Giá
IRF7477PBF Lời đề nghị
IRF7477PBF Giá thấp nhất
IRF7477PBF Tìm kiếm
IRF7477PBF Thu mua
IRF7477PBF Chip