Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF7701TRPBF

IRF7701TRPBF

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Mã sản phẩm
IRF7701TRPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-TSSOP
Tản điện (Tối đa)
1.5W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
100nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5050pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 15460 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRF7701TRPBF
IRF7701TRPBF Linh kiện điện tử
IRF7701TRPBF Việc bán hàng
IRF7701TRPBF Nhà cung cấp
IRF7701TRPBF Nhà phân phối
IRF7701TRPBF Bảng dữ liệu
IRF7701TRPBF Ảnh
IRF7701TRPBF Giá
IRF7701TRPBF Lời đề nghị
IRF7701TRPBF Giá thấp nhất
IRF7701TRPBF Tìm kiếm
IRF7701TRPBF Thu mua
IRF7701TRPBF Chip