Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF7831PBF

IRF7831PBF

MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Mã sản phẩm
IRF7831PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Discontinued at Digi-Key
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.35V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
60nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
6240pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 7228 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRF7831PBF
IRF7831PBF Linh kiện điện tử
IRF7831PBF Việc bán hàng
IRF7831PBF Nhà cung cấp
IRF7831PBF Nhà phân phối
IRF7831PBF Bảng dữ liệu
IRF7831PBF Ảnh
IRF7831PBF Giá
IRF7831PBF Lời đề nghị
IRF7831PBF Giá thấp nhất
IRF7831PBF Tìm kiếm
IRF7831PBF Thu mua
IRF7831PBF Chip