Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF9910PBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Mã sản phẩm
IRF9910PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Discontinued at Digi-Key
Bao bì
Tube
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Sức mạnh tối đa
2W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
10A, 12A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.55V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
11nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 54608 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRF9910PBF
IRF9910PBF Linh kiện điện tử
IRF9910PBF Việc bán hàng
IRF9910PBF Nhà cung cấp
IRF9910PBF Nhà phân phối
IRF9910PBF Bảng dữ liệu
IRF9910PBF Ảnh
IRF9910PBF Giá
IRF9910PBF Lời đề nghị
IRF9910PBF Giá thấp nhất
IRF9910PBF Tìm kiếm
IRF9910PBF Thu mua
IRF9910PBF Chip