Mua Infineon Technologies IRF9910TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IRF9910TRPBF

MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

Mã sản phẩm

IRF9910TRPBF

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

HEXFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Sức mạnh tối đa

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SO

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

10A, 12A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

9.3 mOhm @ 12A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.55V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

11nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 21983 PCS

Thông tin liên lạc