Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFH5025TR2PBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
Mã sản phẩm
IRFH5025TR2PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-VQFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-QFN
Tản điện (Tối đa)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
250V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
100 mOhm @ 5.7A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 150µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
56nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2150pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 5030 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFH5025TR2PBF
IRFH5025TR2PBF Linh kiện điện tử
IRFH5025TR2PBF Việc bán hàng
IRFH5025TR2PBF Nhà cung cấp
IRFH5025TR2PBF Nhà phân phối
IRFH5025TR2PBF Bảng dữ liệu
IRFH5025TR2PBF Ảnh
IRFH5025TR2PBF Giá
IRFH5025TR2PBF Lời đề nghị
IRFH5025TR2PBF Giá thấp nhất
IRFH5025TR2PBF Tìm kiếm
IRFH5025TR2PBF Thu mua
IRFH5025TR2PBF Chip