Mua Infineon Technologies IRFH7110TR2PBF MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IRFH7110TR2PBF

MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

Mã sản phẩm

IRFH7110TR2PBF

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

HEXFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-TQFN Exposed Pad

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-PQFN (5x6)

Tản điện (Tối đa)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

11A (Ta), 58A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

13.5 mOhm @ 35A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 100µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

87nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

3240pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 24330 PCS

Thông tin liên lạc