Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFH7911TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Mã sản phẩm
IRFH7911TR2PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
18-PowerVQFN
Sức mạnh tối đa
2.4W, 3.4W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PQFN (5x6)
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
13A, 28A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.35V @ 25µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
12nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 15V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 46238 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFH7911TR2PBF
IRFH7911TR2PBF Linh kiện điện tử
IRFH7911TR2PBF Việc bán hàng
IRFH7911TR2PBF Nhà cung cấp
IRFH7911TR2PBF Nhà phân phối
IRFH7911TR2PBF Bảng dữ liệu
IRFH7911TR2PBF Ảnh
IRFH7911TR2PBF Giá
IRFH7911TR2PBF Lời đề nghị
IRFH7911TR2PBF Giá thấp nhất
IRFH7911TR2PBF Tìm kiếm
IRFH7911TR2PBF Thu mua
IRFH7911TR2PBF Chip