Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFH8330TR2PBF

IRFH8330TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
Mã sản phẩm
IRFH8330TR2PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerTDFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PQFN (5x6)
Tản điện (Tối đa)
3.3W (Ta), 35W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
17A (Ta), 56A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
6.6 mOhm @ 20A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.35V @ 25µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
20nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36299 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRFH8330TR2PBF
IRFH8330TR2PBF Linh kiện điện tử
IRFH8330TR2PBF Việc bán hàng
IRFH8330TR2PBF Nhà cung cấp
IRFH8330TR2PBF Nhà phân phối
IRFH8330TR2PBF Bảng dữ liệu
IRFH8330TR2PBF Ảnh
IRFH8330TR2PBF Giá
IRFH8330TR2PBF Lời đề nghị
IRFH8330TR2PBF Giá thấp nhất
IRFH8330TR2PBF Tìm kiếm
IRFH8330TR2PBF Thu mua
IRFH8330TR2PBF Chip