Mua Infineon Technologies IRFHE4250DTRPBF MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IRFHE4250DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

Mã sản phẩm

IRFHE4250DTRPBF

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

FASTIRFET™

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

32-PowerWFQFN

Sức mạnh tối đa

156W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

32-PQFN (6x6)

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

25V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

86A, 303A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

2.75 mOhm @ 27A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.1V @ 35µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

20nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1735pF @ 13V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 49057 PCS

Thông tin liên lạc