Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFHM830DTRPBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Mã sản phẩm
IRFHM830DTRPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-VQFN Exposed Pad
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PQFN (3x3)
Tản điện (Tối đa)
2.8W (Ta), 37W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
20A (Ta), 40A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.35V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
27nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1797pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36861 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFHM830DTRPBF
IRFHM830DTRPBF Linh kiện điện tử
IRFHM830DTRPBF Việc bán hàng
IRFHM830DTRPBF Nhà cung cấp
IRFHM830DTRPBF Nhà phân phối
IRFHM830DTRPBF Bảng dữ liệu
IRFHM830DTRPBF Ảnh
IRFHM830DTRPBF Giá
IRFHM830DTRPBF Lời đề nghị
IRFHM830DTRPBF Giá thấp nhất
IRFHM830DTRPBF Tìm kiếm
IRFHM830DTRPBF Thu mua
IRFHM830DTRPBF Chip