Mua Infineon Technologies IRFHM830TR2PBF MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IRFHM830TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

Mã sản phẩm

IRFHM830TR2PBF

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

HEXFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-VQFN Exposed Pad

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PQFN (3x3)

Tản điện (Tối đa)

2.7W (Ta), 37W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

21A (Ta), 40A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.35V @ 50µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

31nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2155pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 43441 PCS

Thông tin liên lạc