Mua Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IRFHM8363TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Mã sản phẩm

IRFHM8363TR2PBF

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

HEXFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerVDFN

Sức mạnh tối đa

2.7W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

11A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

14.9 mOhm @ 10A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.35V @ 25µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

15nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1165pF @ 10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 14841 PCS

Thông tin liên lạc