Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFHM8363TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Mã sản phẩm
IRFHM8363TRPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Not For New Designs
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerVDFN
Sức mạnh tối đa
2.7W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
11A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.35V @ 25µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
15nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1165pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 50934 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFHM8363TRPBF
IRFHM8363TRPBF Linh kiện điện tử
IRFHM8363TRPBF Việc bán hàng
IRFHM8363TRPBF Nhà cung cấp
IRFHM8363TRPBF Nhà phân phối
IRFHM8363TRPBF Bảng dữ liệu
IRFHM8363TRPBF Ảnh
IRFHM8363TRPBF Giá
IRFHM8363TRPBF Lời đề nghị
IRFHM8363TRPBF Giá thấp nhất
IRFHM8363TRPBF Tìm kiếm
IRFHM8363TRPBF Thu mua
IRFHM8363TRPBF Chip