Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFR1018EPBF

IRFR1018EPBF

MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Mã sản phẩm
IRFR1018EPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Not For New Designs
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
110W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
69nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 46238 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRFR1018EPBF
IRFR1018EPBF Linh kiện điện tử
IRFR1018EPBF Việc bán hàng
IRFR1018EPBF Nhà cung cấp
IRFR1018EPBF Nhà phân phối
IRFR1018EPBF Bảng dữ liệu
IRFR1018EPBF Ảnh
IRFR1018EPBF Giá
IRFR1018EPBF Lời đề nghị
IRFR1018EPBF Giá thấp nhất
IRFR1018EPBF Tìm kiếm
IRFR1018EPBF Thu mua
IRFR1018EPBF Chip