Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFR3711PBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Mã sản phẩm
IRFR3711PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 120W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
44nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2980pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 40331 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFR3711PBF
IRFR3711PBF Linh kiện điện tử
IRFR3711PBF Việc bán hàng
IRFR3711PBF Nhà cung cấp
IRFR3711PBF Nhà phân phối
IRFR3711PBF Bảng dữ liệu
IRFR3711PBF Ảnh
IRFR3711PBF Giá
IRFR3711PBF Lời đề nghị
IRFR3711PBF Giá thấp nhất
IRFR3711PBF Tìm kiếm
IRFR3711PBF Thu mua
IRFR3711PBF Chip