Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRLMS2002GTRPBF

IRLMS2002GTRPBF

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
Mã sản phẩm
IRLMS2002GTRPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
Micro6™(SOT23-6)
Tản điện (Tối đa)
2W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
22nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1310pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 8221 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRLMS2002GTRPBF
IRLMS2002GTRPBF Linh kiện điện tử
IRLMS2002GTRPBF Việc bán hàng
IRLMS2002GTRPBF Nhà cung cấp
IRLMS2002GTRPBF Nhà phân phối
IRLMS2002GTRPBF Bảng dữ liệu
IRLMS2002GTRPBF Ảnh
IRLMS2002GTRPBF Giá
IRLMS2002GTRPBF Lời đề nghị
IRLMS2002GTRPBF Giá thấp nhất
IRLMS2002GTRPBF Tìm kiếm
IRLMS2002GTRPBF Thu mua
IRLMS2002GTRPBF Chip