Mua Infineon Technologies IRLR120NTRPBF MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IRLR120NTRPBF

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Mã sản phẩm

IRLR120NTRPBF

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

HEXFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gói thiết bị của nhà cung cấp

D-Pak

Tản điện (Tối đa)

48W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

185 mOhm @ 6A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

20nC @ 5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4V, 10V

VSS (Tối đa)

±16V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 26493 PCS

Thông tin liên lạc