Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRLR3636PBF
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Mã sản phẩm
IRLR3636PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Not For New Designs
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
143W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
49nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3779pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±16V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43820 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRLR3636PBF
IRLR3636PBF Linh kiện điện tử
IRLR3636PBF Việc bán hàng
IRLR3636PBF Nhà cung cấp
IRLR3636PBF Nhà phân phối
IRLR3636PBF Bảng dữ liệu
IRLR3636PBF Ảnh
IRLR3636PBF Giá
IRLR3636PBF Lời đề nghị
IRLR3636PBF Giá thấp nhất
IRLR3636PBF Tìm kiếm
IRLR3636PBF Thu mua
IRLR3636PBF Chip