Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4435DYPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4435DYPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Discontinued at Digi-Key
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
20 mOhm @ 8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
60nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2320pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 14975 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI4435DYPBF
SI4435DYPBF Linh kiện điện tử
SI4435DYPBF Việc bán hàng
SI4435DYPBF Nhà cung cấp
SI4435DYPBF Nhà phân phối
SI4435DYPBF Bảng dữ liệu
SI4435DYPBF Ảnh
SI4435DYPBF Giá
SI4435DYPBF Lời đề nghị
SI4435DYPBF Giá thấp nhất
SI4435DYPBF Tìm kiếm
SI4435DYPBF Thu mua
SI4435DYPBF Chip