SI4435DYTRPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4435DYTRPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
20 mOhm @ 8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
60nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2320pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 25421 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF Linh kiện điện tử
SI4435DYTRPBF Việc bán hàng
SI4435DYTRPBF Nhà cung cấp
SI4435DYTRPBF Nhà phân phối
SI4435DYTRPBF Bảng dữ liệu
SI4435DYTRPBF Ảnh
SI4435DYTRPBF Giá
SI4435DYTRPBF Lời đề nghị
SI4435DYTRPBF Giá thấp nhất
SI4435DYTRPBF Tìm kiếm
SI4435DYTRPBF Thu mua
SI4435DYTRPBF Chip