Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SPB08P06P

SPB08P06P

MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
Mã sản phẩm
SPB08P06P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
SIPMOS®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO263-3-2
Tản điện (Tối đa)
42W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
13nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 41609 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SPB08P06P
SPB08P06P Linh kiện điện tử
SPB08P06P Việc bán hàng
SPB08P06P Nhà cung cấp
SPB08P06P Nhà phân phối
SPB08P06P Bảng dữ liệu
SPB08P06P Ảnh
SPB08P06P Giá
SPB08P06P Lời đề nghị
SPB08P06P Giá thấp nhất
SPB08P06P Tìm kiếm
SPB08P06P Thu mua
SPB08P06P Chip