Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SPB80N10L

SPB80N10L

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Mã sản phẩm
SPB80N10L
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
SIPMOS®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO263-3-2
Tản điện (Tối đa)
250W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
14 mOhm @ 58A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 2mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
240nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4540pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 27592 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SPB80N10L
SPB80N10L Linh kiện điện tử
SPB80N10L Việc bán hàng
SPB80N10L Nhà cung cấp
SPB80N10L Nhà phân phối
SPB80N10L Bảng dữ liệu
SPB80N10L Ảnh
SPB80N10L Giá
SPB80N10L Lời đề nghị
SPB80N10L Giá thấp nhất
SPB80N10L Tìm kiếm
SPB80N10L Thu mua
SPB80N10L Chip