Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFB30N120P
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Mã sản phẩm
IXFB30N120P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™, PolarP2™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-264-3, TO-264AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PLUS264™
Tản điện (Tối đa)
1250W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
350 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
310nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
22500pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 8436 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFB30N120P
IXFB30N120P Linh kiện điện tử
IXFB30N120P Việc bán hàng
IXFB30N120P Nhà cung cấp
IXFB30N120P Nhà phân phối
IXFB30N120P Bảng dữ liệu
IXFB30N120P Ảnh
IXFB30N120P Giá
IXFB30N120P Lời đề nghị
IXFB30N120P Giá thấp nhất
IXFB30N120P Tìm kiếm
IXFB30N120P Thu mua
IXFB30N120P Chip