Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFH12N80P

IXFH12N80P

MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
Mã sản phẩm
IXFH12N80P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™, PolarHT™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247AD (IXFH)
Tản điện (Tối đa)
360W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
850 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
51nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 48964 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFH12N80P
IXFH12N80P Linh kiện điện tử
IXFH12N80P Việc bán hàng
IXFH12N80P Nhà cung cấp
IXFH12N80P Nhà phân phối
IXFH12N80P Bảng dữ liệu
IXFH12N80P Ảnh
IXFH12N80P Giá
IXFH12N80P Lời đề nghị
IXFH12N80P Giá thấp nhất
IXFH12N80P Tìm kiếm
IXFH12N80P Thu mua
IXFH12N80P Chip