Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFH6N120P

IXFH6N120P

MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
Mã sản phẩm
IXFH6N120P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™, PolarP2™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247AD (IXFH)
Tản điện (Tối đa)
250W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
92nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2830pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36566 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFH6N120P
IXFH6N120P Linh kiện điện tử
IXFH6N120P Việc bán hàng
IXFH6N120P Nhà cung cấp
IXFH6N120P Nhà phân phối
IXFH6N120P Bảng dữ liệu
IXFH6N120P Ảnh
IXFH6N120P Giá
IXFH6N120P Lời đề nghị
IXFH6N120P Giá thấp nhất
IXFH6N120P Tìm kiếm
IXFH6N120P Thu mua
IXFH6N120P Chip