Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFH9N80Q
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Mã sản phẩm
IXFH9N80Q
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247AD (IXFH)
Tản điện (Tối đa)
180W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 2.5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
56nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 49643 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFH9N80Q
IXFH9N80Q Linh kiện điện tử
IXFH9N80Q Việc bán hàng
IXFH9N80Q Nhà cung cấp
IXFH9N80Q Nhà phân phối
IXFH9N80Q Bảng dữ liệu
IXFH9N80Q Ảnh
IXFH9N80Q Giá
IXFH9N80Q Lời đề nghị
IXFH9N80Q Giá thấp nhất
IXFH9N80Q Tìm kiếm
IXFH9N80Q Thu mua
IXFH9N80Q Chip