Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFP4N100P
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Mã sản phẩm
IXFP4N100P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™, PolarP2™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
150W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
26nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1456pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 50937 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFP4N100P
IXFP4N100P Linh kiện điện tử
IXFP4N100P Việc bán hàng
IXFP4N100P Nhà cung cấp
IXFP4N100P Nhà phân phối
IXFP4N100P Bảng dữ liệu
IXFP4N100P Ảnh
IXFP4N100P Giá
IXFP4N100P Lời đề nghị
IXFP4N100P Giá thấp nhất
IXFP4N100P Tìm kiếm
IXFP4N100P Thu mua
IXFP4N100P Chip