Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFR32N100Q3

IXFR32N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
Mã sản phẩm
IXFR32N100Q3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
ISOPLUS247™
Tản điện (Tối đa)
570W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
350 mOhm @ 16A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 8mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
195nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
9940pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 54584 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFR32N100Q3
IXFR32N100Q3 Linh kiện điện tử
IXFR32N100Q3 Việc bán hàng
IXFR32N100Q3 Nhà cung cấp
IXFR32N100Q3 Nhà phân phối
IXFR32N100Q3 Bảng dữ liệu
IXFR32N100Q3 Ảnh
IXFR32N100Q3 Giá
IXFR32N100Q3 Lời đề nghị
IXFR32N100Q3 Giá thấp nhất
IXFR32N100Q3 Tìm kiếm
IXFR32N100Q3 Thu mua
IXFR32N100Q3 Chip