Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFT13N80Q

IXFT13N80Q

MOSFET N-CH 800V 13A TO-268
Mã sản phẩm
IXFT13N80Q
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
250W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
700 mOhm @ 6.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 4mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
90nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3250pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 52926 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFT13N80Q
IXFT13N80Q Linh kiện điện tử
IXFT13N80Q Việc bán hàng
IXFT13N80Q Nhà cung cấp
IXFT13N80Q Nhà phân phối
IXFT13N80Q Bảng dữ liệu
IXFT13N80Q Ảnh
IXFT13N80Q Giá
IXFT13N80Q Lời đề nghị
IXFT13N80Q Giá thấp nhất
IXFT13N80Q Tìm kiếm
IXFT13N80Q Thu mua
IXFT13N80Q Chip