Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFT15N100Q

IXFT15N100Q

MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
Mã sản phẩm
IXFT15N100Q
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
360W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
700 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 4mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
170nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 25022 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFT15N100Q
IXFT15N100Q Linh kiện điện tử
IXFT15N100Q Việc bán hàng
IXFT15N100Q Nhà cung cấp
IXFT15N100Q Nhà phân phối
IXFT15N100Q Bảng dữ liệu
IXFT15N100Q Ảnh
IXFT15N100Q Giá
IXFT15N100Q Lời đề nghị
IXFT15N100Q Giá thấp nhất
IXFT15N100Q Tìm kiếm
IXFT15N100Q Thu mua
IXFT15N100Q Chip