Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
Mã sản phẩm
IXFT20N100P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™, PolarP2™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
660W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
570 mOhm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
126nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
7300pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 16512 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFT20N100P
IXFT20N100P Linh kiện điện tử
IXFT20N100P Việc bán hàng
IXFT20N100P Nhà cung cấp
IXFT20N100P Nhà phân phối
IXFT20N100P Bảng dữ liệu
IXFT20N100P Ảnh
IXFT20N100P Giá
IXFT20N100P Lời đề nghị
IXFT20N100P Giá thấp nhất
IXFT20N100P Tìm kiếm
IXFT20N100P Thu mua
IXFT20N100P Chip