Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFT23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
Mã sản phẩm
IXFT23N60Q
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Bulk
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
400W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
320 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 4mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
90nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3300pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 34757 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFT23N60Q
IXFT23N60Q Linh kiện điện tử
IXFT23N60Q Việc bán hàng
IXFT23N60Q Nhà cung cấp
IXFT23N60Q Nhà phân phối
IXFT23N60Q Bảng dữ liệu
IXFT23N60Q Ảnh
IXFT23N60Q Giá
IXFT23N60Q Lời đề nghị
IXFT23N60Q Giá thấp nhất
IXFT23N60Q Tìm kiếm
IXFT23N60Q Thu mua
IXFT23N60Q Chip