Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFT24N90P

IXFT24N90P

MOSFET N-CH TO-268
Mã sản phẩm
IXFT24N90P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™, PolarP2™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
660W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
900V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
420 mOhm @ 12A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
130nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
7200pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 34409 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFT24N90P
IXFT24N90P Linh kiện điện tử
IXFT24N90P Việc bán hàng
IXFT24N90P Nhà cung cấp
IXFT24N90P Nhà phân phối
IXFT24N90P Bảng dữ liệu
IXFT24N90P Ảnh
IXFT24N90P Giá
IXFT24N90P Lời đề nghị
IXFT24N90P Giá thấp nhất
IXFT24N90P Tìm kiếm
IXFT24N90P Thu mua
IXFT24N90P Chip