Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFT30N50P

IXFT30N50P

MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
Mã sản phẩm
IXFT30N50P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™, PolarHT™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
460W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
500V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
200 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 4mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
70nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4150pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 19632 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFT30N50P
IXFT30N50P Linh kiện điện tử
IXFT30N50P Việc bán hàng
IXFT30N50P Nhà cung cấp
IXFT30N50P Nhà phân phối
IXFT30N50P Bảng dữ liệu
IXFT30N50P Ảnh
IXFT30N50P Giá
IXFT30N50P Lời đề nghị
IXFT30N50P Giá thấp nhất
IXFT30N50P Tìm kiếm
IXFT30N50P Thu mua
IXFT30N50P Chip