Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFT320N10T2
MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
Mã sản phẩm
IXFT320N10T2
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
1000W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
320A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
430nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
26000pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 41707 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFT320N10T2
IXFT320N10T2 Linh kiện điện tử
IXFT320N10T2 Việc bán hàng
IXFT320N10T2 Nhà cung cấp
IXFT320N10T2 Nhà phân phối
IXFT320N10T2 Bảng dữ liệu
IXFT320N10T2 Ảnh
IXFT320N10T2 Giá
IXFT320N10T2 Lời đề nghị
IXFT320N10T2 Giá thấp nhất
IXFT320N10T2 Tìm kiếm
IXFT320N10T2 Thu mua
IXFT320N10T2 Chip