Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFT58N20Q

IXFT58N20Q

MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
Mã sản phẩm
IXFT58N20Q
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
300W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
40 mOhm @ 29A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 4mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
140nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 7394 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFT58N20Q
IXFT58N20Q Linh kiện điện tử
IXFT58N20Q Việc bán hàng
IXFT58N20Q Nhà cung cấp
IXFT58N20Q Nhà phân phối
IXFT58N20Q Bảng dữ liệu
IXFT58N20Q Ảnh
IXFT58N20Q Giá
IXFT58N20Q Lời đề nghị
IXFT58N20Q Giá thấp nhất
IXFT58N20Q Tìm kiếm
IXFT58N20Q Thu mua
IXFT58N20Q Chip