Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFT69N30P
MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
Mã sản phẩm
IXFT69N30P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarHT™ HiPerFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
500W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
300V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
49 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 4mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
180nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4960pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 50910 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFT69N30P
IXFT69N30P Linh kiện điện tử
IXFT69N30P Việc bán hàng
IXFT69N30P Nhà cung cấp
IXFT69N30P Nhà phân phối
IXFT69N30P Bảng dữ liệu
IXFT69N30P Ảnh
IXFT69N30P Giá
IXFT69N30P Lời đề nghị
IXFT69N30P Giá thấp nhất
IXFT69N30P Tìm kiếm
IXFT69N30P Thu mua
IXFT69N30P Chip