Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFX30N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
Mã sản phẩm
IXFX30N100Q2
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PLUS247™-3
Tản điện (Tối đa)
735W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
400 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 8mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
186nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
8200pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 53905 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFX30N100Q2
IXFX30N100Q2 Linh kiện điện tử
IXFX30N100Q2 Việc bán hàng
IXFX30N100Q2 Nhà cung cấp
IXFX30N100Q2 Nhà phân phối
IXFX30N100Q2 Bảng dữ liệu
IXFX30N100Q2 Ảnh
IXFX30N100Q2 Giá
IXFX30N100Q2 Lời đề nghị
IXFX30N100Q2 Giá thấp nhất
IXFX30N100Q2 Tìm kiếm
IXFX30N100Q2 Thu mua
IXFX30N100Q2 Chip