Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTH10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
Mã sản phẩm
IXTH10N100D
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247 (IXTH)
Tản điện (Tối đa)
400W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Depletion Mode
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.4 Ohm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
130nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 13039 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTH10N100D
IXTH10N100D Linh kiện điện tử
IXTH10N100D Việc bán hàng
IXTH10N100D Nhà cung cấp
IXTH10N100D Nhà phân phối
IXTH10N100D Bảng dữ liệu
IXTH10N100D Ảnh
IXTH10N100D Giá
IXTH10N100D Lời đề nghị
IXTH10N100D Giá thấp nhất
IXTH10N100D Tìm kiếm
IXTH10N100D Thu mua
IXTH10N100D Chip